電子器件范文10篇

摘要：針對電力電子器件熱管理始終難以解決的問題，需采用科學合理的管理方法改變熱設計，以提升熱設計的可靠性。具體地，分析電力電子器件熱失效故障以及措施，詳細探討電力電子器件熱失效的過程，重視設計評審的重要性，從而使電力電子器件中的熱失效能夠達到良好的防范效果。

關鍵詞：電力電子器件；熱管理；熱失效

電子器件由于受到熱應力積累效應、其他化學反應等影響易導致器件失效，其中造成電子器件失效的主要原因是溫度過高。通過對電力電子器件的科學管理，在故障發生前管理防范對任務有影響的模式，從而有效提升電力電子器件的熱可靠性能。

1電力電子器件熱故障管理及措施

1.1熱故障機理與現狀。要科學合理得進行熱故障管理，需要分析熱功能原理，并在分析過程中找出產生熱失效的原因和導致的嚴重后果。電力電子器件無論是靜態休息還是動態運行中都存在能量損耗情況，導致該零件的熱量與其他部位的芯片零件產生一定的溫度差，從而使溫度差轉化成熱量。這種熱量通常以輻射或者傳導的方式進行傳遞。因為許多熱故障都是隱形故障，所以在失效調查時很難發現，產生此種現象的主要原因是間歇性失效。由于不能查找出具體原因，所以出現故障時不能及時進行維修，即便重新安裝也會導致系統無法正常運轉，從而可能引發一系列問題，并因找不出故障的具體原因而付出高昂的反復維修費用[1]。1.2熱失效與溫度的關系。運行過程中，器件溫度過高與失效率呈指數形式不斷增長，而這種增長形式只是一種較為相近的關系。除了器件高溫之外，還有其他模式造成器件不能使用。許多熱值失效對設置中的一些物理化學成分造成一系列結構變化，且這種變化由于溫度的上升而不斷加劇，使其在高溫下失效。反言之，當器件溫度同室內溫度環境相似時，工作溫度失效率也隨之降低。這是因為器件在工作運轉過程中與室內的溫度產生加大的溫度差時，會對化學變化速度減少不利影響，使其失效速度隨之快速下降。因為器件材料不同，器件收縮程度不同，從而對器件的熱度有所增加。同時，這會令器件中凝結的水發生腐蝕或者短路現象，所以在很低的溫度下器件的失效率同樣會增加。綜合所述，工作環境是電力電子器件熱管理的主要成因[2]。1.3熱管理常用措施。在保持電力電子器件原始設計的同時，要預防器件發生任何故障，需要利用電子設備進行熱設計管理。通過漏熱熱阻、傳導電阻以及輻射散熱等相關路徑防止熱致失效，提升器件的可靠性，降低經濟損失。另外，設計過程中，應注意定型后改進熱設計的成本要比事先熱設計的成本高。為此，要想有效改進熱設計，應該減少多個影響電力電子致熱的因素。

2常見熱失效模式管理

論文關鍵詞:電力電子器件；變頻技術；諧波；功率因數

論文摘要:介紹了電力電子器件和變頻技術的發展過程，以及變頻技術在家用電器的應用,分析了變頻技術的應用也帶來了諧波、電磁干擾和電源系統功率因數下降等問題。提出了相關的諧波抑制方法及提高電源系統功率因數的措施。

引言

隨著電力電子、計算機技術的迅速發展，交流調速取代直流調速已成為發展趨勢。變頻調速以其優異的調速和啟、制動性能被國內外公認為是最有發展前途的調速方式。變頻技術是交流調速的核心技術，電力電子和計算機技術又是變頻技術的核心，而電力電子器件是電力電子技術的基礎。電力電子技術是近幾年迅速發展的一種高新技術，廣泛應用于機電一體化、電機傳動、航空航天等領域，現已成為各國競相發展的一種高新技術。專家預言，在21世紀高度發展的自動控制領域內，計算機技術與電力電子技術是兩項最重要的技術。

一、電力電子器件的發展過程

上世紀50年代末晶閘管在美國問世，標志著電力電子技術就此誕生。第一代電力電子器件主要是可控硅整流器(SCR)，我國70年代將其列為節能技術在全國推廣。然而，SCR畢竟是一種只能控制其導通而不能控制關斷的半控型開關器件，在交流傳動和變頻電源的應用中受到限制。70年代以后陸續發明的功率晶體管(GTR)、門極可關斷晶閘管(GTO)、功率MOS場效應管(PowerMOSFET)、絕緣柵晶體管(IGBT)、靜電感應晶體管(SIT)和靜電感應晶閘管(SITH)等，它們的共同特點是既控制其導通，又能控制其關斷，是全控型開關器件，由于不需要換流電路，故體積、重量較之SCR有大幅度下降。當前，IGBT以其優異的特性已成為主流器件，容量大的GTO也有一定地位[1][2][3]。

一、薄膜制備技術

薄膜制備方法多種多樣，總的說來可以分為兩種——物理的和化學的。物理方法指在薄膜的制備過程中，原材料只發生物理的變化，而化學方法中，則要利用到一些化學反應才能得到薄膜。

1.化學氣相淀積法(CVD)

目前光電子器件的制備中常用的化學方法主要有等離子體增強化學氣相淀積（PECVD）和金屬有機物化學氣相淀積（MOCVD）。

化學氣相淀積是制備各種薄膜的常用方法，利用這一技術可以在各種基片上制備多種元素及化合物薄膜。傳統的化學氣相淀積一般需要在高溫下進行，高溫常常會使基片受到損壞，而等離子體增強化學氣相淀積（PECVD）則能解決這一問題。等離子體的基本作用是促進化學反應，等離子體中的電子的平均能量足以使大多數氣體電離或分解。用電子動能代替熱能，這就大大降低了薄膜制備環境的溫度，采用PECVD技術，一般在1000℃以下。利用PECVD技術可以制備SiO2、Si3N4、非晶Si:H、多晶Si、SiC等介電和半導體膜，能夠滿足光電子器件的研發和制備對新型和優質材料的大量需求。

金屬有機物化學氣相淀積（MOCVD）是利用有機金屬熱分解進行氣相外延生長的先進技術，目前主要用于化合物半導體的薄膜氣相生長，因此在以化合物半導體為主的光電子器件的制備中，它是一種常用的方法。利用MOCVD技術可以合成組分按任意比例組成的人工合成材料，薄膜厚度可以精確控制到原子級，從而可以很方便的得到各種薄膜結構型材料，如量子阱、超晶格等。這種技術使得量子阱結構在激光器和LED等器件中得到廣泛的應用，大大提高了器件性能。2.物理氣相淀積（PVD）

論文關鍵詞：納米導線激光器；紫外納米激光器；量子阱激光器；微腔激光器；新型納米激光器

論文摘要：納米光電子技術是一門新興的技術，近年來越來越受到世界各國的重視，而隨著該技術產生的納米光電子器件更是成為了人們關注的焦點。主要介紹了納米光電子器件的發展現狀。

1納米導線激光器

2001年，美國加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員在只及人的頭發絲千分之一的納米光導線上制造出世界最小的激光器-納米激光器。這種激光器不僅能發射紫外激光，經過調整后還能發射從藍色到深紫外的激光。研究人員使用一種稱為取向附生的標準技術，用純氧化鋅晶體制造了這種激光器。他們先是"培養"納米導線，即在金層上形成直徑為20nm～150nm，長度為10000nm的純氧化鋅導線。然后，當研究人員在溫室下用另一種激光將納米導線中的純氧化鋅晶體激活時，純氧化鋅晶體會發射波長只有17nm的激光。這種納米激光器最終有可能被用于鑒別化學物質，提高計算機磁盤和光子計算機的信息存儲量。

2紫外納米激光器

繼微型激光器、微碟激光器、微環激光器、量子雪崩激光器問世后，美國加利福尼亞伯克利大學的化學家楊佩東及其同事制成了室溫納米激光器。這種氧化鋅納米激光器在光激勵下能發射線寬小于0.3nm、波長為385nm的激光，被認為是世界上最小的激光器，也是采用納米技術制造的首批實際器件之一。在開發的初始階段，研究人員就預言這種ZnO納米激光器容易制作、亮度高、體積小，性能等同甚至優于GaN藍光激光器。由于能制作高密度納米線陣列，所以，ZnO納米激光器可以進入許多今天的GaAs器件不可能涉及的應用領域。為了生長這種激光器，ZnO納米線要用催化外延晶體生長的氣相輸運法合成。首先，在藍寶石襯底上涂敷一層1nm~3.5nm厚的金膜，然后把它放到一個氧化鋁舟上，將材料和襯底在氨氣流中加熱到880℃~905℃，產生Zn蒸汽，再將Zn蒸汽輸運到襯底上，在2min~10min的生長過程內生成截面積為六邊形的2μm~10μm的納米線。研究人員發現，ZnO納米線形成天然的激光腔，其直徑為20nm~150nm，其大部分（95％）直徑在70nm~100nm。為了研究納米線的受激發射，研究人員用Nd:YAG激光器（266nm波長，3ns脈寬）的四次諧波輸出在溫室下對樣品進行光泵浦。在發射光譜演變期間，光隨泵浦功率的增大而激射，當激射超過ZnO納米線的閾值（約為40kW／cm）時，發射光譜中會出現最高點，這些最高點的線寬小于0.3nm，比閾值以下自發射頂點的線寬小1/50以上。這些窄的線寬及發射強度的迅速提高使研究人員得出結論：受激發射的確發生在這些納米線中。因此，這種納米線陣列可以作為天然的諧振腔，進而成為理想的微型激光光源。研究人員相信，這種短波長納米激光器可應用在光計算、信息存儲和納米分析儀等領域中。

1納米導線激光器

2001年，美國加利福尼亞大學伯克利分校的研究人員在只及人的頭發絲千分之一的納米光導線上制造出世界最小的激光器-納米激光器。這種激光器不僅能發射紫外激光，經過調整后還能發射從藍色到深紫外的激光。研究人員使用一種稱為取向附生的標準技術，用純氧化鋅晶體制造了這種激光器。他們先是"培養"納米導線，即在金層上形成直徑為20nm～150nm，長度為10000nm的純氧化鋅導線。然后，當研究人員在溫室下用另一種激光將納米導線中的純氧化鋅晶體激活時，純氧化鋅晶體會發射波長只有17nm的激光。這種納米激光器最終有可能被用于鑒別化學物質，提高計算機磁盤和光子計算機的信息存儲量。

2紫外納米激光器

繼微型激光器、微碟激光器、微環激光器、量子雪崩激光器問世后，美國加利福尼亞伯克利大學的化學家楊佩東及其同事制成了室溫納米激光器。這種氧化鋅納米激光器在光激勵下能發射線寬小于0.3nm、波長為385nm的激光，被認為是世界上最小的激光器，也是采用納米技術制造的首批實際器件之一。在開發的初始階段，研究人員就預言這種ZnO納米激光器容易制作、亮度高、體積小，性能等同甚至優于GaN藍光激光器。由于能制作高密度納米線陣列，所以，ZnO納米激光器可以進入許多今天的GaAs器件不可能涉及的應用領域。為了生長這種激光器，ZnO納米線要用催化外延晶體生長的氣相輸運法合成。首先，在藍寶石襯底上涂敷一層1nm~3.5nm厚的金膜，然后把它放到一個氧化鋁舟上，將材料和襯底在氨氣流中加熱到880℃~905℃，產生Zn蒸汽，再將Zn蒸汽輸運到襯底上，在2min~10min的生長過程內生成截面積為六邊形的2μm~10μm的納米線。研究人員發現，ZnO納米線形成天然的激光腔，其直徑為20nm~150nm，其大部分（95％）直徑在70nm~100nm。為了研究納米線的受激發射，研究人員用Nd:YAG激光器（266nm波長，3ns脈寬）的四次諧波輸出在溫室下對樣品進行光泵浦。在發射光譜演變期間，光隨泵浦功率的增大而激射，當激射超過ZnO納米線的閾值（約為40kW／cm）時，發射光譜中會出現最高點，這些最高點的線寬小于0.3nm，比閾值以下自發射頂點的線寬小1/50以上。這些窄的線寬及發射強度的迅速提高使研究人員得出結論：受激發射的確發生在這些納米線中。因此，這種納米線陣列可以作為天然的諧振腔，進而成為理想的微型激光光源。研究人員相信，這種短波長納米激光器可應用在光計算、信息存儲和納米分析儀等領域中。

3量子阱激光器

2010年前后，蝕刻在半導體片上的線路寬度將達到100nm以下，在電路中移動的將只有少數幾個電子，一個電子的增加和減少都會給電路的運行造成很大影響。為了解決這一問題，量子阱激光器就誕生了。在量子力學中，把能夠對電子的運動產生約束并使其量子化的勢場稱之成為量子阱。而利用這種量子約束在半導體激光器的有源層中形成量子能級，使能級之間的電子躍遷支配激光器的受激輻射，這就是量子阱激光器。目前，量子阱激光器有兩種類型：量子線激光器和量子點激光器。

摘要：電力電子器件又稱為功率半導體器件，主要用于電力設備的電能變換和控制電路方面大功率的電子器件，其類型非常的多樣，在各個領域中都有著廣泛的應用，是弱電與強電、信息與電子、傳統產業與現代產業完美結合的媒介。本文主要針對電力電子器件及其應用現狀和發展趨勢進行分析、

關鍵詞：電力電子器件；應用現狀；發展趨勢

隨著科學技術的不斷進步，電力電子器件裝置當今得到了廣泛的應用，主要涉及到交通運輸業、先進裝備制造業、航天航空和坦克飛機等現代化裝備中。得益于電子技術的應用優勢，全球電子產品產業得到了快速的發展，給全球的經濟、文化、軍事等各領域帶來了實質性的影響。電子技術可以劃分為兩類：一種是電子信息技術，電力電子元件在電子信息技術上的應用可以實現信息的傳送、儲存和控制等目的；第二種就是保證電能正常安全的進行傳輸，同時將能源和信息有效的結合起來。在社會的不斷發展中，各行各業對于優質優量的電能都是迫切需要的，而隨著一次次電力電子技術的改革，電力電子器件的應用范圍也更加廣泛，成為了工業生產中不可或缺的重要元件。電力電子技術的發展為人類的環保和生活都做出了重要的貢獻，成為了將弱電與強電、信息與電子、傳統產業與現代產業完美結合的媒介。所以電力電子器件的研究成為了電力電子行業的重要課題。

1.電力電子器件的應用與發展歷程

上世紀50年代開始，全球第一支晶閘管誕生，這就標志著現代電氣傳動中的電力電子技術登上歷史的舞臺，基于晶閘管研發的可控硅整流裝置成為了電氣傳動行業的一次變革，開啟了以電力電子技術控制和變換電能的變流器時代，至此電力電子技術產生。到70年代時晶閘管已經研發出來可以承受高壓大電流的產品，這一代的半控型器材被稱之為第一代電力電子器件。但是晶閘管的缺點就是不能自關斷，隨著電力電子理論和工藝的不斷進步，隨后研發出了GTR.GTO和MOSFET等自關斷的全控型，這一類產品被稱之為第二代電力電子器件。之后出現了第三代電力電子器件，主要以絕緣柵雙極晶體管為代表，第三代電力電子器件具有頻率快、反映速度快和能耗較低的特點。在近些年的研究中，人們開始將微電子技術與電力電子技術進行融合，從而制造出了具有多功能、智能化、高效率的全控性能集成器件。電力電子器件中使用最多，構造簡單的就是整流管，當前整流管可以分為普通型、快恢復型和肖特基型三種。在改善電力電子性能、減少電路能源損耗和提升電流效率等方面，電力整流管發揮著重要的作用。美國通用電氣公司于1958年研發出了第一個用于工業的普通晶閘管，為今后的工藝調整和新器件的研發打下了基礎，隨后的十年中各式各樣的晶閘管面世，例如雙向、逆向逆導和非對稱等，到現如今這些晶閘管還一直在被使用。為了解決晶閘管的不可自關斷問題，美國于1964年研發了0.5kV/0.01kA的可關斷晶閘管，到今天發展成為9kV/2.5kA/0.8kHZ和6kV/6kA/1kHZ?？申P斷晶閘管具有容量大和低頻率的特點，在大功率牽引驅動中發揮著極大的作用。隨后到70年代，GTR產品成功面世，其額定值已經達到了1.8kV/0.8kA/2kHZ和0.6kV/0.003kA/100kHZ，GTR產品具有極大的靈活性，有著開關能源消耗低和時間短的優點，在中等容量和頻率電路中發揮著主要作用。而第三代的絕緣柵型雙極性晶體管，對電壓能夠進行控制，有著輸入阻率抗性大和驅動功率小等特點，有著巨大的發展潛力。

2電力電子器件的應用

一、電力電子器件的發展過程

上世紀50年代末晶閘管在美國問世，標志著電力電子技術就此誕生。第一代電力電子器件主要是可控硅整流器(SCR)，我國70年代將其列為節能技術在全國推廣。然而，SCR畢竟是一種只能控制其導通而不能控制關斷的半控型開關器件，在交流傳動和變頻電源的應用中受到限制。70年代以后陸續發明的功率晶體管(GTR)、門極可關斷晶閘管(GTO)、功率MOS場效應管(PowerMOSFET)、絕緣柵晶體管(IGBT)、靜電感應晶體管(SIT)和靜電感應晶閘管(SITH)等，它們的共同特點是既控制其導通，又能控制其關斷，是全控型開關器件，由于不需要換流電路，故體積、重量較之SCR有大幅度下降。當前，IGBT以其優異的特性已成為主流器件，容量大的GTO也有一定地位[1][2][3]。

許多國家都在努力開發大容量器件，國外已生產6000V的IGBT。IEGT(injectionenhancedgatethyristor)是一種將IGBT和GTO的優點結合起來的新型器件，已有1000A/4500V的樣品問世。IGCT(integratedgateeommutatedthyristor)在GTO基礎上采用緩沖層和透明發射極，它開通時相當于晶閘管，關斷時相當于晶體管，從而有效地協調了通態電壓和阻斷電壓的矛盾，工作頻率可達幾千赫茲[2][3]。瑞士ABB公司已經推出的IGCT可達4500一6000V，3000一3500A。MCT因進展不大而引退而IGCT的發展使其在電力電子器件的新格局中占有重要的地位。與發達國家相比，我國在器件制造方面比在應用方面有更大的差距。高功率溝柵結構IGBT模塊、IEGT、MOS門控晶閘管、高壓砷化稼高頻整流二極管、碳化硅(SIC)等新型功率器件在國外有了最新發展?？梢韵嘈?，采用GaAs、SiC等新型半導體材料制成功率器件，實現人們對“理想器件”的追求，將是21世紀電力電子器件發展的主要趨勢。

高可靠性的電力電子積木(PEBB)和集成電力電子模塊(IPEM)是近期美國電力電子技術發展新熱點。GTO和IGCT，IGCT和高壓IGBT等電力電子新器件之間的激烈競爭，必將為21世紀世界電力電子新技術和變頻技術的發展帶來更多的機遇和挑戰。

二、變頻技術的發展過程

變頻技術是應交流電機無級調速的需要而誕生的。電力電子器件的更新促使電力變換

摘要：眾所周知的是，電力電子這個技術對于現代科學和工業的發展來說是至關重要的，而電力電子器件的發展與完善與這門技術息息相關。所以作為電力電子技術發展的原動力，工作人員必須要加強對于現代電力電子器件的應用裝置和內部系統的研究力度，而且要針對電力電子器件的應用現狀和未來的發展方向展開深入研究。。

關鍵詞：電力電子器件；應用；發展現狀

隨著我國社會經濟的快速發展，我國的電力電子器件已經得到了極為廣泛的運用，甚至已經滲透到了能源、環境、航空航天等各個領域，尤其是還涉及到了現代化國防武器裝備等方面。由此可見，我國電力電子器件與電力電子技術的快速發展對于社會上的很多重要領域都產生重要的影響。電力電子器件及其應用的現狀和發展的研究可以幫助工作人員加深對于現代電子技術的了解，發揮出信息電子技術在工業生產中的信息傳輸、處理、存儲等作用。除此之外，電力電子技術也可以在很大程度上保障電能安全高效，實現內部資源的合理配置，為我國的工業生產提供能量和承擔執行的功能。

1.電力電子器件的發展現狀

1.1電力電子器件的基本概況

隨著社會經濟的快速發展，我國的電力電子器件的發展前景越來越光明，早在上世紀，我國的電子技術就已經逐漸發展起來。首先電子技術涉及到信息電子技術和電力電子技術兩大方面的內容，現代科技的飛速發展促進了信息電子技術的發展，與此同時電力電子技術也在電能的傳輸、處理、存儲和控制等各個方面發揮出了自身獨特的作用。對于當今我國工業發展來說，電力電子器件的應用和發展是極為必要的，因為我國的很多工廠和技術設備都與電力電子器件有著密切的聯系。為了能夠在最大范圍內加快生產的速度和工作的效率，對電力電子技術這種比較先進的技術的開發是極為必要的，這主要是因為傳統的電力電子器件的應用和發展已經遠遠落后于時代的發展速度，不適應我國工業生產的模式。

電力電子技術是以電力電子器件為基礎對電能進行控制、轉換和傳輸的一門技術，是現代電子學的一個重要分支，包括電力電子器件、變流電路和控制電路三大部分，其中以電力電子器件的制造、應用技術為最基本的技術。因此，了解電力電子器件的基本工作原理、結構和電氣參數，正確安全使用電力電子器件是完成一部電力電子裝置最關鍵的一步。電力電子器件種類繁多，各種器件具有自身的特點并對驅動、保護和緩沖電路有一定的要求。一個完善的驅動、保護和緩沖電路是器件安全、成功使用的關鍵，也是本講座重點講述的部分。電力電子變換電路常用的半導體電力器件有快速功率二極管、大功率雙極型晶體管(GTR)、晶閘管(Thyristor或SCR)、可關斷晶閘管(GTO)、功率場效應晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路PIC等。在這些器件中，二極管屬于不控型器件，晶閘管屬于半控型器件，其他均屬于全控型器件。SCR、GTO及GTR屬電流驅動型器件，功率MOSFET、IGBT及PIC為電壓驅動型器件。在直接用于處理電能的主電路中，實現電能變換和控制的電子器件稱為電力電子器件。電力電子器件之所以和“電力”二字相連，是因為它主要應用于電氣工程和電力系統，其作用是根據負載的特殊要求，對市電、強電進行各種形式的變換，使電氣設備得到最佳的電能供給，從而使電氣設備和電力系統實現高效、安全、經濟的運行。目前的電力電子器件主要指的是電力半導體器件，與普通半導體器件一樣，電力半導體器件所采用的主要材料仍然是硅。

1電力電子器件的一般特征

(1)處理電功率的能力大

(2)工作在開關狀態

(3)需要由信息電子電路來控制

(4)需要安裝散熱器

摘要:本文在超新集團泛雅網絡教學平臺上引入“翻轉課堂”教學模式、信息化考核機制等，讓學生充分參與到教學中來;建設分層自主學習資源，直觀形象地展現課程內容，培養學生自主學習能力、半導體器件應用及項目開發能力;搭建TCAD綜合實驗平臺，一體化集成器件仿真分層學習資源，學生可以隨時隨地在校園內登錄平臺查閱資料完成課題任務，激發學生學習興趣，提高教學效果。

關鍵詞:信息化;分層自主學習資源;TCAD綜合實驗平臺

“微電子器件”是電子科學與技術專業的專業核心基礎課程，也是應用型本科院校培養新興微電子與光電產業所需的應用技術人才必備的理論與實踐基礎課程［1］。該課程是連接半導體材料與器件和電路的橋梁，是后續深入學習集成電路專業課程，培養學生具備大規模集成電路設計能力必不可少的基礎?！蔽㈦娮悠骷闭n程知識點抽象，關聯性較強，內容編排上從半導體材料的摻雜改性，到P型、N型半導體結合形成半導體器件的基本結構單元，再到各種復雜結構的器件設計和控制，采用層層推進的方式，邏輯嚴密，理論性強，學生需要有良好的前期課程基礎，并扎實掌握課程每一部分內容才能跟上學習的進度［2］。為了有效提高學生的學習興趣及課程參與度，我們實施混合式自主教學資源庫以及一體化TCAD綜合實驗平臺的建設，依據行業需求、學生及課程特點、改革教學的方式方法，對學生能力培養起到非常有益的效果。

1混合式自主教學資源建設思路

實時調研半導體行業對課程的需求，我們課題組明確教學資源建設內容，以畢業設計、課程設計、翻轉課堂等形式讓學生參與到混合式自主教學資源建設中來。已完成基于學院泛雅網絡教學平臺的部分微課視頻、動畫、題庫、分層自主學習資源等信息化教學資源建設，已啟動微電子器件簡易教學展示平臺研發并一體化集成SilvacoTCAD用戶使用手冊、微電子器件綜合實驗課件、實驗指導書、教案、半導體器件工藝制備流程等實踐教學資源。依托泛雅網絡教學平臺，引入了“翻轉課堂”教學模式，并將陸續推進“翻轉課堂”素材的制作;引入信息化教學手段對師生間的實時互動交流、智能化簽到、考核機制等展開研究。在實施教學過程中檢驗已完成資源成效并實時優化改進，混合式自主教學資源建設架構如圖1所示。

2混合式自主教學資源建設內容