固體電子學研究與進展
  • 創刊時間1981
  • 影響因子0.29
  • 發行周期雙月刊
  • 審稿周期1-3個月

固體電子學研究與進展雜志 統計源期刊

主管單位:中國電子科技集團公司 主辦單位:南京電子器件研究所

《固體電子學研究與進展》是一本由南京電子器件研究所主辦的一本電子類雜志,該刊是統計源期刊,主要刊載電子相關領域研究成果與實踐。該刊創刊于1981年,出版周期雙月刊,影響因子為0.29。該期刊已被統計源期刊(中國科技論文優秀期刊)、知網收錄(中)、維普收錄(中)、萬方收錄(中)、CA 化學文摘(美)、JST 日本科學技術振興機構數據庫(日)、國家圖書館館藏、上海圖書館館藏收錄。

出版信息:
期刊類別:電子
出版地區:江蘇
出版語言:中文
紙張開本:A4
基本信息:
國內刊號:32-1110/TN
國際刊號:1000-3819
全年訂價:¥220.00
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雜志介紹 征稿要求 數據統計 文章選集 聯系方式 常見問題 推薦期刊

固體電子學研究與進展雜志介紹

辦刊宗旨是面向21世紀固體物理和微電子學領域的創新性學術研究??堑闹饕獌热轂椋簾o機和有機固體物理、硅微電子、射頻器件和微波集成電路、微機電系統(MEMS)、納米技術、固體光電和電光轉換、有機發光器件(OLED)和有機微電子技術、高溫微電子以及各種固體電子器件等方面的創新性科學技術報告和學術論文,論文和研究報告反映國家固體電子學方面的科技水平。

本刊主要資助項目有:國家自然科學基金、國家高技術研究發展計劃、國家重點基礎研究發展計劃、江蘇省自然科學基金、中央高?;究蒲袠I務費專項資金、國家科技重大專項、國家教育部博士點基金、福建省自然科學基金、國家重點實驗室開放基金、河北省自然科學基金。

本刊主要資助課題有:江蘇省“六大人才高峰”高層次人才項目(DZXX-053)、國家自然科學基金(60371029)、國家自然科學基金(60506012)、國家自然科學基金(60776016)、中央高?;究蒲袠I務費專項資金(JUSRP51323B)、國家高技術研究發展計劃(2009AA011605)、北京市人才強教計劃項目(05002015200504)、國家自然科學基金(69736020)、國家自然科學基金(61106130)、國防科技重點實驗室基金(9140C1402021102)。

固體電子學研究與進展雜志征稿要求

1.本刊力倡引用正式出版物。中文文獻題名應使用書名號。

2.投稿請注明作者姓名、單位、電話、郵編和詳細通訊地址。

3.稿件請附3-6個能反映論文主題的中英文對照的關鍵詞。

4.文責自負。依照《著作權法》的有關規定,編輯部保留對來稿作文字修改、刪節的權利,不同意改動者務請注明。

5.“作者簡介”置于首頁腳注處;基金項目請在文章首頁腳注處寫明項目來源和課題編號。

固體電子學研究與進展雜志數據統計

歷年影響因子和發文量

主要機構發文分析

機構名稱 發文量 主要研究主題
南京電子器件研究所 925 晶體管;電路;放大器;單片;GAAS
東南大學 317 電路;半導體;放大器;晶體管;集成電路
復旦大學 231 電路;功耗;集成電路;低功耗;半導體
中國科學院 148 晶體管;半導體;分子束;分子束外延;異質結
西安電子科技大學 116 半導體;電路;金屬氧化物半導體;晶體管;碳化硅
浙江大學 77 電路;半導體;芯片;金屬氧化物半導體;低功耗
清華大學 70 電路;集成電路;計算機;半導體;GAAS
天津大學 69 隧穿;電路;晶體管;共振隧穿;負阻
南京大學 68 發光;半導體;納米;氮化鎵;GAN
中國科學院微電子研究所 68 電路;低噪;低噪聲;晶體管;CMOS

固體電子學研究與進展雜志文章選集

  • 一款W波段GaN HEMT高諧波抑制八次倍頻器MMIC 項萍; 王維波; 陳忠飛; 郭方金; 潘曉楓; 徐志超
  • 一種3.5 GHz LTE 應用的30 W 40%效率 GaN Doherty 功放設計 陳志勇; 李昂; 曾瑞峰; 祝超; 張呂; 陳新宇
  • 二茂錸分子吸附Zigzag型石墨烯納米帶自旋輸運性質的理論研究 劉小月; 李林峰; 葛桂賢
  • 一款0.6~4.2 GHz寬帶低噪聲放大器設計 汪寧歡; 鄭遠; 何旭; 陳新宇; 楊磊
  • 毫米波MEMS移相器模塊用驅動電路研究 黃鎮; 朱健; 郁元衛; 姜理利
  • 基于遺傳算法的射頻工藝容差電性能降維建模 張晏銘; 董樂; 李陽陽; 向偉瑋
  • 新型四通帶濾波器設計 張友俊; 李大偉
  • 一款圓-線極化變換天線罩的設計與應用 邵楠; 王身云; 文舸一
  • 基于左手材料的微帶陣列天線設計 李曉丹; 李峰
  • 不同濃度Ti摻雜Ca2Si電子結構及光學性質的研究 鄧永榮; 閆萬珺; 張春紅; 覃信茂; 周士蕓
  • 基于ASL1000的Bandgap Trim 設計及其算法研究 付賢松; 馬富民; 田會娟; 杜橋; 羅濤
  • Ge2Sb2Te5相變存儲單元有源區對RESET電流影響的研究 王玉菡; 曾自強; 王玉嬋; 王月青
  • 聚合物ESD抑制器測試方法與性能研究 徐曉英; 馮婉琳; 郭瑤; 葉宇輝; 甘瑛潔
  • 共晶錫鉛焊料與薄金焊點可靠性研究 田飛飛; 田昊; 周明
  • 6.5 kV,25 A 4H-SiC功率DMOSFET器件 李士顏; 劉昊; 黃潤華; 陳允峰; 李赟; 柏松; 楊立杰

固體電子學研究與進展雜志社聯系方式

地址:南京1601信箱43分箱

郵編:210016

主編:楊乃彬

常見問題

固體電子學研究與進展
固體電子學研究與進展雜志

價格:¥220.00元/1年 雙月刊

主辦單位:南京電子器件研究所

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